A dopagem com gálio é um método para prevenir a degradação induzida pela luz (LID), particularmente em células PERC. O uso de wafers de silício dopados com Ga para aplicação em células solares definitivamente resulta em melhor desempenho de células solares e módulos fotovoltaicos, bem como a melhoria de seus confiabilidade do termo.
Diagrama esquemático da célula solar PERC
De acordo com o comunicado à imprensa, a Shin-Etsu Chemical detém várias patentes sobre dopagem com gálio em cristais de silício e sobre o uso de pastilhas de silício cristalino tipo p dopadas com gálio na produção de células fotovoltaicas (PV).
É amplamente conhecido que as células solares que fazem uso de pastilhas de silício do tipo p dopadas com boro sofrem de degradação induzida pela luz (LID). Isso ocorre nas primeiras horas em que as células solares de silício dopadas com boro tipo p cristalino são expostas ao sol, causando uma perda de desempenho e uma degradação geral da eficiência de conversão.
Este LID está associado à formação do complexo de oxigênio de boro, que atua como um defeito prejudicial e reduz o comprimento de difusão do portador minoritário. Embora muitas pesquisas tenham sido feitas na caracterização e mitigação do LID até o momento, as células solares industriais ainda sofrem com diferentes tipos de perdas de eficiência induzidas pela luz.
Usando dopagem de gálio para prevenir LID
No entanto, existe uma alternativa industrial ao silício dopado com boro - silício dopado com gálio. Acredita-se que seja imune ao LID, principalmente quando usado em células PERC.
Em outubro de 2019, uma empresa chinesa, JA Solar, recebeu direitos de propriedade intelectual para sua própria tecnologia de dopagem de gálio, que é usada na produção de células fotovoltaicas (PV). A JA Solar explicou que sua tecnologia proprietária pode efetivamente mitigar o efeito LID em módulos fotovoltaicos que são montados com pastilhas de silício do tipo p.
GG quot; O uso de wafers de silício dopados com Ga para a aplicação de células solares definitivamente resulta em um melhor desempenho de células solares e módulos fotovoltaicos, bem como na melhoria de sua confiabilidade a longo prazo ”, disse o presidente e conselho de diretores Jin Baofang.
A empresa também detém várias patentes sobre dopagem com gálio em cristais de silício e sobre o uso de pastilhas de silício cristalino tipo p dopadas com gálio na produção de células PV.
Wafer solar de silício dopado com Ga
Wafer solar de silício dopado com Ga 210 mm M12 G12
Wafer solar de silício dopado com Ga 166 mm M6
Wafer solar de silício dopado com Ga 161,7 mm M4
Wafer solar de silício dopado com Ga 158,75 mm G1 quadrado completo
Wafer solar de silício dopado com Ga 156,75 mm M2
