(1) Slicing: o uso de corte multi-linha, a haste de silício cortado em uma bolacha quadrada.
(2) Limpeza: Usando o método de limpeza de bolacha convencional, e depois usar solução ácida (ou alcalina) cortará a superfície da camada de danos da bolacha para remover 30-50um.
(3) Preparação de superfície de veludo: o uso de solução alcalina para a corrosão anisotrópica wafer de silício na superfície da bolacha para preparar a superfície de veludo.
(4) Difusão de fósforo: usando fonte de revestimento (ou fonte de líquido, ou fonte de floco de fosfato de nitrogênio sólido) para difusão, feito pn + nó, nó profundo geralmente para 0,3-0,5um.
(5) Condicionamento químico periférico: camada de difusão formada na superfície da bolacha de silício quando difundida, pode causar curto-circuito nos eletrodos superiores e inferiores da bateria e remover a camada de difusão periférica mascarando a corrosão úmida ou condicionamento com plasma seco.
(6) Remova a parte traseira pn + nó. Método comum de gravação a úmido ou placa abrasiva para remover a parte traseira pn + nó.
(7) produção de eletrodos superiores e inferiores: evaporação a vácuo, níquel químico ou impressão de pasta de alumínio e processo de sinterização. Faça o eletrodo inferior primeiro e, em seguida, faça o eletrodo superior.Impressão de pasta de alumínio é um grande número de métodos de processo utilizados.
(8) Produção de filme antirreflexo: Para reduzir a perda de reflexo, a superfície da bolacha de silício cobrindo uma camada de filme antirreflexo. Os materiais para fazer filmes antirreflexo são MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, TA2O5, etc.
O método de processo pode ser usado em revestimento a vácuo, ionização, pulverização catódica, impressão, pecvd ou pulverização.
(9) Sinterização: sinterização do chip da bateria na placa de base de níquel ou cobre.
(10) Arquivos de teste: De acordo com as especificações dos parâmetros, classificação de teste.
