N Tipo 156,75mm Wafer Solar Monocristalino

N-Type Monocrystalline Wafer Specification

N Type Monocrystalline Solar Wafer

N Tipo 156,75mm Wafer Solar Monocristalino

Introdução de Produto:

O fato de que as tecnologias celulares com as maiores eficiências na produção industrial são baseadas no wafer Cz-Si do tipo n é uma demonstração impressionante de por que os wafers do tipo N são o material mais adequado para células solares de alta eficiência. Indo mais em detalhes, existem algumas razões físicas para a superioridade do tipo n versus tipo p.

Enviar inquérito

Converse agora

Descrição

Parâmetros técnicos

CZ silicon crystal growth

Monocrystalline wafer 1

O fato de que as tecnologias celulares com as maiores eficiências na produção industrial são baseadas no wafer N tipo Cz-Si é uma demonstração impressionante de por que os wafers do tipo N são o material mais adequado para células solares de alta eficiência. Indo mais em detalhes, existem algumas razões físicas para a superioridade do tipo N versus tipo P, os mais importantes são:

devido à ausência de boro, não ocorre degradação induzida por luz (LID) em wafers Si tipo p, devido aos complexos boro-oxigênio
como N tipo Si é menos sensível a impurezas metálicas proeminentes, em geral os comprimentos de difusão de transportadoras minoritárias no n-tipo Cz-Si são significativamente maiores em comparação com o Cz-Si tipo p
N tipo Si é menos propenso à degradação durante processos de alta temperatura, como a difusão B.

1 Propriedades materiais

propriedade	especificação	Método de Inspeção
Método de crescimento	Cz
cristalinidade	Monocristalino	Técnicas preferenciais de etch（ASTM F47-88）
Tipo de condutividade	Tipo N	Napson EC-80TPN
Dopant	fósforo	-
Concentração de oxigênio[Oi]	≦8E+17 at/cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Concentração de carbono[Cs]	≦5E+16 at/cm³	FTIR (ASTM F123-91)
Densidade do poço de etch (densidade de luxação)	≦500 cm^-3	Técnicas preferenciais de etch（ASTM F47-88）
Orientação superficial	<100>±3°	Método de Difração de Raios-X (ASTM F26-1987)
Orientação de lados pseudo quadrados	<010>,<001>±3°	Método de Difração de Raios-X (ASTM F26-1987)

2 Propriedades elétricas

propriedade

especificação

Método de Inspeção

resistividade

0.2-2.0 Ω.cm

0.5-3.5 Ω.cm

1.0-7.0 Ω.cm

1.5-12 Ω.cm

Outra resistividade

Sistema de inspeção de wafer

MCLT (vida minoritária de portadores)

≧1000μs(Resistividade > 1Ωcm)
≧500μs (Resistividade< 1="">Ωcm)

Transitório Sinton

3 geometria

propriedade	especificação	Método de Inspeção
geometria	Pseudo quadrado
Forma de borda bevel	redondo
Tamanho do wafer (Comprimento lateralcomprimento lateral diâmetro	M0: 156 * 156φ210 mm M1: 156,75 156,75φ205mm M2: 156,75 156,75*φ210 mm	Sistema de inspeção de wafer
Ângulo entre os lados adjacentes	90±3°	Sistema de inspeção de wafer

Tag: N Tipo 156,75mm Monocristalino Solar Wafer, China, fornecedores, fabricantes, fábrica, fabricados na China