Metal Assisted Chemical etching (MACE) é um método de gravura anisotrópico recentemente desenvolvido que é capaz de produzir nanoestruturas semicondutores de alta proporção de proporções a partir de películas metálicas padronizadas.
Em um modelo bem aceito descrevendo o processo MACE, ooxidanteé preferível ser reduzido na superfície decatalisador de metal, e os orifícios (h+) são injetados de catalisador de metal para Si ou elétrons (e−) são transferidos de Si para catalisador de metal. Si por baixo catalisador de metal tem o máximoconcentração de buraco, portanto, ooxidaçãoe dissolução de Si ocorrem preferencialmente sob catalisador de metal.
A eficiência de conversão de energia solar é encontrada para ser aumentada quando SiNWs comalta proporçãosão empregados na superfície da irradiação de luz slar.
1 Condição de superfície
parâmetro | processo | refletância |
Lado frontal | ||
Condição de superfície | metal Etching químico assistido | baixo |
Lado de trás | ||
Condição de superfície | Polido ou texturizado | Alto ou baixo |
2 Propriedades materiais
propriedade | especificação | Método de Inspeção |
Método de crescimento | solidificação direcional | XRD |
cristalinidade | policristalino | Técnicas preferenciais de etch（ASTM F47-88） |
Tipo de condutividade | Tipo P | Napson EC-80TPN P/N |
Dopant | boro | - |
Concentração de oxigênio[Oi] | ≦1E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Concentração de carbono[Cs] | ≦1E+18 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
3 Propriedades elétricas
propriedade | especificação | Método de Inspeção |
resistividade | 0,5-2 Ωcm (Após anneal) | Sistema de inspeção de wafer |
MCLT (vida minoritária de portadores) | ≧2 μs | Sinton QSSPC |
4 geometria
propriedade | especificação | Método de Inspeção |
geometria | Quadrado ou Retângulo | Sistema de inspeção de wafer |
Forma de borda bevel | linha | Sistema de inspeção de wafer |
Tamanho do wafer (Comprimento lateral*comprimento lateral) | 156mm * 156mm 157mm * 186mm 166mm * 166mm | Sistema de inspeção de wafer |
Ângulo entre os lados adjacentes | 90±3° | Sistema de inspeção de wafer |
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