Wafer de SiC semi-isolante 4H-

Substratos semi{0}}isolantes de SiC oferecem alta resistividade e excelentes propriedades térmicas, o que os torna adequados para crescimento heteroepitaxial de GaN e aplicações de semicondutores de RF de alta-frequência. Como substrato de SiC de alto-desempenho, ele é amplamente utilizado para dispositivos baseados em HEMT-em sistemas de comunicação avançados, incluindo infraestrutura 5G. Esses wafers de SiC semi{7}}isolantes também fornecem excelentes propriedades ópticas e de materiais, suportando aplicações emergentes em optoeletrônica e eletrônicos vestíveis.. 12-Os substratos de SiC de polegadas oferecem potencial para aplicações de próxima-geração, como óculos AR e outros dispositivos ópticos avançados.