Introdução de produtos
Substratos de SiC tipo P-são projetados para crescimento homoepitaxial e desenvolvimento de dispositivos semicondutores de potência de ultra-alta-tensão. Com excelentes características elétricas e térmicas, esse-desempenhoSubstrato de SiCé adequado para aplicações exigentes de alta-potência, incluindo transmissão de energia de ultra-alta-tensão e infraestrutura de rede inteligente.
Esses-tipo PBolachas de SiCtambém oferece suporte a aplicações em transporte ferroviário, sistemas de energia industriais e outros equipamentos elétricos de alta-potência onde são necessários recursos de alta-tensão, confiabilidade e conversão eficiente de energia.
Especificações
| 6 polegadas | |
|---|---|
| Diâmetro | 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Orientação de superfície | 4 graus em direção<1120>±0,5 graus |
| Comprimento plano primário | 47,5 mm ± 1,5 mm |
| Orientação Plana Primária | <1120>±5,0 graus |
| Orientação do entalhe | / |
| Ângulo de entalhe | / |
| Profundidade do entalhe | / |
| Grossura | 350,0um±25,0um |
| Politipo | 4H |
| Tipo | p-tipo |
| 8 polegadas | |
|---|---|
| Diâmetro | 200,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Orientação de superfície | 4 graus em direção<1120>±0,5 graus |
| Comprimento plano primário | Entalhe |
| Orientação Plana Primária | / |
| Orientação do entalhe | <1100>±1,0 grau |
| Ângulo de entalhe | 90 graus +5 graus /-1 grau |
| Profundidade do entalhe | 1,0mm+0.25mm/-0mm |
| Grossura | 350,0um±25,0um |
| Politipo | 4H |
| Tipo | p-tipo |
| 12 polegadas | |
|---|---|
| Diâmetro | 300,0mm±0,5mm |
| Orientação de superfície | 4 graus em direção<1120>±0,5 graus |
| Comprimento plano primário | Entalhe |
| Orientação Plana Primária | / |
| Orientação do entalhe | <1100>±5,0 graus |
| Ângulo de entalhe | 90 graus +5 graus /-1 grau |
| Profundidade do entalhe | 1,0mm+0.25mm/-0mm |
| Grossura | 750,0um±25,0um |
| Politipo | 4H |
| Tipo | p-tipo |
Certificado
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