Otimizado para aplicações solares de alta eficiência, a bolacha de silício monocristalino M6 do tipo N apresenta um design pseudo-quadrado de 166 × 166 mm com propriedades de material superior. Fabricado usando o método CZ com doping de fósforo, ele oferece excelente qualidade de cristal com<100>orientação e baixa densidade de defeitos (menor ou igual a 500 cm⁻²). A wafer oferece condutividade do tipo n com resistividade de 1,0-7,0 Ω · cm e maior ou igual a 1000 µs de vida útil da portadora, tornando-a ideal para tecnologias de células de heterojunção e topcon. Sua geometria precisa (φ223 mm de diâmetro, menor ou igual a 27 µm de TTV) e padrões rígidos de qualidade da superfície garantem desempenho ideal em módulos fotovoltaicos. O tamanho M6 fornece o equilíbrio perfeito entre a eficiência celular e a produtividade da fabricação para as linhas de produção solares modernas.
1. Propriedades do material
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Propriedade |
Especificação |
Método de inspeção |
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Método de crescimento |
Cz |
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Cristalinidade |
Monocristalino |
Técnicas de gravação preferencial(ASTM F47-88) |
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Tipo de condutividade |
N-Type |
NAPPON EC-80TPN |
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Dopante |
Fósforo |
- |
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Concentração de oxigênio [OI] |
Menor ou igual a8e +17 em/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
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Concentração de carbono [CS] |
Menor ou igual a5e +16 em/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
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Densidade do poço de gravação (densidade de deslocamento) |
Menor ou igual a500 cm-2 |
Técnicas de gravação preferencial(ASTM F47-88) |
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Orientação da superfície |
<100>± 3 graus |
Método de difração de raios-X (ASTM F26-1987) |
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Orientação de lados pseudo -quadrados |
<010>,<001>± 3 graus |
Método de difração de raios-X (ASTM F26-1987) |
2. Propriedades elétricas
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Propriedade |
Especificação |
Método de inspeção |
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Resistividade |
1.0-7.0 Ω.CM
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Sistema de inspeção de wafer |
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MCLT (vida útil da transportadora minoritária) |
Maior ou igual a 1000 µs
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Sinton BCT-400 Transitório
(Com o nível de injeção: 5e14 cm-3)
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3. Geometria
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Propriedade |
Especificação |
Método de inspeção |
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Geometria |
Pseudo -quadrado |
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Forma de borda chanfrada
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redondo | |
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Comprimento lateral da bolacha |
166 ± 0,25 mm
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Sistema de inspeção de wafer |
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Diâmetro da bolacha |
φ223 ± 0,25 mm |
Sistema de inspeção de wafer |
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Ângulo entre lados adjacentes |
90 graus ± 0,2 graus |
Sistema de inspeção de wafer |
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Grossura |
180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
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Sistema de inspeção de wafer |
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TTV (variação total da espessura) |
Menor ou igual a 27 µm |
Sistema de inspeção de wafer |
4.Propriedades de superfície
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Propriedade |
Especificação |
Método de inspeção |
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Método de corte |
Dw |
-- |
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Qualidade da superfície |
Como cortado e limpo, sem contaminação visível (óleo ou graxa, impressões digitais, manchas de sabão, manchas de pasta, manchas de epóxi/cola não são permitidas) |
Sistema de inspeção de wafer |
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Marcas / passos de serra |
Menor ou igual a 15 µm |
Sistema de inspeção de wafer |
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Arco |
Menor ou igual a 40 µm |
Sistema de inspeção de wafer |
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Urdidura |
Menor ou igual a 40 µm |
Sistema de inspeção de wafer |
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Chip |
profundidade menor ou igual a 0,3 mm e comprimento menor ou igual a 0,5 mm max 2/pcs; Sem chip V. |
Olhos nus ou sistema de inspeção de wafer |
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Micro rachaduras / orifícios |
Não é permitido |
Sistema de inspeção de wafer |
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