【Introdução ao produto】
PROPRIEDADES MATERIAIS
Parâmetro | Característica | Método de Controle ASTM |
Tipo / Dopante | P, N de fósforo, N de fósforo, Antimônio N, Arsênico | F42 |
Orientações | <100>, <111> corte as orientações de acordo com as especificações do cliente111>100> | F26 |
Conteúdo de Oxigênio | 10 19 ppmA tolerâncias personalizadas por especificação do cliente | F121 |
Conteúdo Carbono | <0,6>0,6> | F123 |
Faixas de resistividade-P, Boro-N, Fósforo-N, Antimônio-N, Arsênico | 0,001 - 50 ohm · cm | F84 |
PROPRIEDADES MECÂNICAS
Parâmetro | Prime | Monitor / Teste A | Teste | Método ASTM |
Diâmetro | 150 ± 0,2 mm | 150 ± 0,2 mm | 150 ± 0,5 mm | F613 |
Espessura | 675 ± 20 µm (padrão) | 675 ± 25 µm (padrão) 450 ± 25 µm 625 ± 25 µm 1000 ± 25 µm 1300 ± 25 µm 1500 ± 25 µm | 675 ± 50 µm (padrão) | F533 |
TTV | <5>5> | <10>10> | <15>15> | F657 |
Arco | <30>30> | <30>30> | <50>50> | F657 |
Embrulho | <30>30> | <30>30> | <50>50> | F657 |
Arredondamento de borda | SEMI-STD | F928 | ||
Marcação | Somente SEMI-Flat Primário, Planos SEMI-STD Jeida Flat, Notch | F26, F671 |
QUALIDADE DA SUPERFÍCIE
Parâmetro | Prime | Monitor / Teste A | Teste | Método ASTM |
Critérios do lado da frente | ||||
Condição de superfície | Mecânico Mecânico Polido | Mecânico Mecânico Polido | Mecânico Mecânico Polido | F523 |
Rigidez da superfície | <2 a="">2> | <2 a="">2> | <2 a="">2> | |
Contaminação, Partículas @> 0.3 µm | = 20 | = 20 | = 30 | F523 |
Névoa, poços, casca de laranja | Nenhum | Nenhum | Nenhum | F523 |
Serras, estrias | Nenhum | Nenhum | Nenhum | F523 |
Critérios do verso | ||||
Rachaduras, crowsfeet, viu marcas, manchas | Nenhum | Nenhum | Nenhum | F523 |
Condição de superfície | Caustic gravado | F523 |
【 Descrição do produto 】
Perfeito para aplicações microfluídicas. Para aplicações de microeletrônica ou MEMS, entre em contato conosco para especificações detalhadas.
Os dispositivos semicondutores continuam encolhendo, e está se tornando cada vez mais importante que os wafers tenham alta qualidade de superfície tanto na frente quanto no verso. Atualmente, essas bolachas são mais comuns em sistemas microeletromecânicos (MEMS), colagem de wafer, fabricação de silício em isolante (SOI) e aplicações com requisitos de planicidade apertados. Microeletrônica reconhece a evolução da indústria de semicondutores e está empenhada em encontrar soluções de longo prazo para todos os requisitos do cliente.
Grande estoque de wafers polidos de dupla face em todos os diâmetros de wafer variando de 100 mm a 300 mm. Se sua especificação não estiver disponível em nosso inventário, estabelecemos relacionamentos de longo prazo com vários fornecedores capazes de fabricar wafers personalizados para atender a quaisquer especificações exclusivas. As pastilhas polidas de lado duplo estão disponíveis em silício, vidro e outros materiais comumente usados na indústria de semicondutores.
O corte e o polimento personalizados também estão disponíveis de acordo com as suas necessidades. Por favor sinta-se livre para entrar em contato conosco.
【 Características do produto 】
· 6 "tipo P / N, bolacha de silício Polido (25 unidades)
· Orientação: 150
· Resistividade: 0,1 - 40 ohm · cm (pode variar de lote para lote)
· Espessura: 675 +/- 20um
· Prime / Monitor / Test Grade
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