O fluxo de produção de wafer monocristalino consiste em procedimentos de corte, limpeza e classificação. Atualmente, mais de 80% da capacidade mundial de produção de cristal Cz-Si para PV é dedicada a p type.
1 Propriedades do material
Propriedade | Especificação | Método de inspeção |
Método de crescimento | CZ | |
Cristalinidade | Monocristalino | Técnicas de Gravura Preferenciais（ASTM F47-88） |
Tipo de condutividade | Tipo P | Napson EC-80TPN P/N |
Dopante | Boro, Gálio | - |
Concentração de oxigênio [Oi] | ≦9E+17 at / cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Concentração de carbono [Cs] | ≦5E+16 at / cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Densidade de corrosão (densidade de deslocamento) | ≦500 cm-3 | Técnicas de Gravura Preferenciais（ASTM F47-88） |
Orientação da superfície | & lt; 100> ± 3 ° | Método de difração de raios-X (ASTM F26-1987) |
Orientação de lados pseudo-quadrados | & lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 ° | Método de difração de raios-X (ASTM F26-1987) |
2 Propriedades elétricas
Propriedade | Especificação | Método de inspeção |
Resistividade | 1-3 Ωcm (após recozimento) | Sistema de inspeção de wafer |
MCLT (tempo de vida da operadora minoritária) | ≧20 μs | Sinton QSSPC |
3 Geometria
Propriedade | Especificação | Método de inspeção |
Geometria | Pseudo quadrado | |
Forma de borda chanfrada | Redondo | |
Tamanho da bolacha (Comprimento lateral * comprimento lateral * diâmetro | M0: 156 * 156 * ϕ210 mm M1: 156,75 * 156,75 * ϕ205 mm M2: 156,75 * 156,75 * ϕ210 mm | Sistema de inspeção de wafer |
Ângulo entre os lados adjacentes | 90±3° | Sistema de inspeção de wafer |
Tag: P Type 156mm Monocristalino Solar Wafer, China, fornecedores, fabricantes, fábrica, feito na China
