Wafer solar de silício monocristalino M6 de 166mmx166mm com diâmetro de 223 mm é 12,21% maior que o wafer M2. Assim, as células solares feitas de substrato M6 terão 12,21% mais saída de energia do que a feita de substrato M2.
1 Propriedades materiais
propriedade | especificação | Método de Inspeção |
Método de crescimento | Cz | |
cristalinidade | Monocristalino
| Técnicas preferenciais de etch（ASTM F47-88） |
Tipo de condutividade | Tipo P | Napson EC-80TPN P/N |
Dopant
| Boro
| - |
Concentração de oxigênio[Oi] | ≦8E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Concentração de carbono[Cs] | ≦5E+16 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Densidade do poço de etch (densidade de luxação) | ≦500 cm-3 | Técnicas preferenciais de etch（ASTM F47-88） |
Orientação superficial | <100>±3° | Método de Difração de Raios-X (ASTM F26-1987) |
Orientação de lados pseudo quadrados | <010>,<001>±3° | Método de Difração de Raios-X (ASTM F26-1987) |
2 Propriedades elétricas
propriedade | especificação | Método de Inspeção |
resistividade | 0,5-1.5 Ωcm | Sistema de inspeção de wafer |
MCLT (vida minoritária de portadores) | ≧50 μs | Sinton BCT-400 (com nível de injeção: 1E15 centímetro-3) |
3 geometria
propriedade | especificação | Método de Inspeção |
geometria | Quadrado completo | |
Comprimento lateral do wafer | 166±0,25 mm | sistema de inspeção de wafer |
Diâmetro do wafer | φ223±0,25 mm | sistema de inspeção de wafer |
Ângulo entre os lados adjacentes | 90° ± 0,2° | sistema de inspeção de wafer |
espessura | 180﹢20/﹣10 μm; 170﹢20/﹣10 μm | sistema de inspeção de wafer |
TTV (Variação total de espessura) | ≤27 μm | sistema de inspeção de wafer |
4 Propriedades de superfície
propriedade | especificação | Método de Inspeção |
Método de corte | Dw | -- |
Qualidade da superfície | como corte e limpeza, sem contaminação visível, (óleo ou graxa, impressões digitais, manchas de sabão, manchas de chorume, manchas de epóxi/cola não são permitidas) | sistema de inspeção de wafer |
Marcas de serra /passos | ≤ 15μm | sistema de inspeção de wafer |
arco | ≤ 40 μm | sistema de inspeção de wafer |
urdidura | ≤ 40 μm | sistema de inspeção de wafer |
cavaco | profundidade ≤0,3 mm e comprimento ≤ 0,5 mm Max 2/pcs; sem V-chip | Olhos nus ou sistema de inspeção de wafer |
Micro rachaduras / buracos | Não é permitido | sistema de inspeção de wafer |
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