O wafer solar de silício monocristalino M12 de 210mmx210mm com diâmetro de 295mm é 80,5% maior do que o wafer M2.
1 Propriedades do material
Propriedade | Especificação | Método de inspeção |
Método de crescimento | CZ | |
Cristalinidade | Monocristalino | Técnicas de Gravura Preferenciais（ASTM F47-88） |
Tipo de condutividade | Tipo P | Napson EC-80TPN P/N |
Dopante | Boro, Gálio | - |
Concentração de oxigênio [Oi] | ≦8E+17 at / cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Concentração de carbono [Cs] | ≦5E+16 at / cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Densidade de corrosão (densidade de deslocamento) | ≦500 cm-3 | Técnicas de Gravura Preferenciais（ASTM F47-88） |
Orientação da superfície | & lt; 100> ± 3 ° | Método de difração de raios-X (ASTM F26-1987) |
Orientação de lados pseudo-quadrados | & lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 ° | Método de difração de raios-X (ASTM F26-1987) |
2 Propriedades elétricas
Propriedade | Especificação | Método de inspeção |
Resistividade | 0,5-1,5 Ωcm | Sistema de inspeção de wafer |
MCLT (tempo de vida da operadora minoritária) | ≧50 μs | Sinton BCT-400 (com nível de injeção: 1E15 cm-3) |
3Geometria
Propriedade | Especificação | Método de inspeção |
Geometria | Quadrado completo | |
Comprimento do lado da bolacha | 210 ± 0,25 mm | sistema de inspeção de wafer |
Diâmetro da bolacha | φ295 ± 0,25 mm | sistema de inspeção de wafer |
Ângulo entre os lados adjacentes | 90° ± 0.2° | sistema de inspeção de wafer |
Espessura | 180﹢20/﹣10 µm; 170﹢20/﹣10 µm | sistema de inspeção de wafer |
TTV (variação de espessura total) | ≤27 µm | sistema de inspeção de wafer |
4 Propriedades de superfície
Propriedade | Especificação | Método de inspeção |
Método de corte | DW | -- |
Qualidade da superfície | como corte e limpo, sem contaminação visível, (óleo ou graxa, impressões digitais, manchas de sabão, manchas de lama, manchas de epóxi / cola não são permitidas) | sistema de inspeção de wafer |
Marcas / degraus de serra | ≤ 15µm | sistema de inspeção de wafer |
Arco | ≤ 40 µm | sistema de inspeção de wafer |
Urdidura | ≤ 40 µm | sistema de inspeção de wafer |
Lasca | profundidade ≤0,3 mm e comprimento ≤ 0,5 mm Máx. 2 / pcs; sem V-chip | Olhos nus ou sistema de inspeção de wafer |
Micro fissuras / orifícios | Não permitido | sistema de inspeção de wafer |
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